Hot Electron Injection Field Effect Transistor ("HEIFET")
Sprache der Bezeichnung:
Englisch
Original Kurzfassung:
Im Rahmen dieses Projektes soll ein neuer Feldeffekttransistor mit wesentlich verbesserten Hochfrequenzeigenschaften entwickelt werden. Das neue Bauelement unterscheidet sich von herkömmlichen Feldeffekttransistoren durch einen speziell ausgebildeten Source-Kontakt, der heiße, also sehr schnelle Elektronen in den Kanal (Gate)-Bereich injiziert.
Ein Antrag auf Erteilung eines österreichischen Patentes wurde im Mai 1997 eingereicht (Geschäftszahl A 868/97).
Aufgrund der erwarteten wesentlich höheren Grenzfrequenz erscheint das neue Bauelement für industrielle und KFZ-Anwendungen im 60GHz (ISM)-Band und darüber besonders gut geeignet, da die Herstellungskosten wesentlich niedriger liegen als die für herkömmliche Feldeffekttransistoren, deren Elektrodenstrukturen für diesen Frequenzbereich kleiner als 0,25um sein müssen, während man für die Herstellung des neuen Bauelementes mit der wesentlich kostengünstigeren 0,75um-Technologie das Auslangen finden sollte.
Der Kostenvorteil ermöglicht für die Millimeterwellen-Sensorik und für die Kommunikationstechnik neue Anwendungen in hohen Stückzahlen.
Sprache der Kurzfassung:
Deutsch
Englische Bezeichnung:
Hot Electron Injection Field Effect Transistor ("HEIFET")
Englische Kurzfassung:
The purpose of the proposed research is to experimentally prove the idea that the upper frequency limit of a field effect transistor can be significantly increased by replacing the highly doped source contact by a hot elctron injection contact of the type used in the planar injection limited Gunn diode, also called "field effect controlled transferred electron device" or "FECTED". The injection limiting contact which consists of an ohmic contact and an overlapping Schottky gate injects hot and, hence, fast electrons into the FET-channel thereby drastically reducing the total transit time through the channel. The new FET, which is called "hot electron injection field effect transistor" or "HEIFET" is not subject to the slow acceleration process electrons experience when injected from a highly doped source contact (the standard source contact of conventional field effect transistors) where the electric field and, hence, the velocity of electrons is very low.
A patent on the HEIFET is pending.
In order to achieve the objective of the proposed research a 60GHz HEIFET will be designed, fabricated and tested. The main goal of this project is to achieve several milliwatts of oscillatory output power with efficiencies of more than 5% at 60GHz. If such a high performance could be obtained the device would be an attractive candidate for developing low-cost multi-purpose distance sensors for industrial, automotive and domestic use.
Forschungs-