Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Z. Bochnicek, A. Daniel, J. Grenzer, Vaclav Holy, T. Roch, Y. Zhuang, "GID study of strains in Si due to patterned SiO2" , 2001, A. Daniel, V. Holy, Y. Zhuang, T. Roch, J. Grenzer, Z. Bochnicek, G. Bauer: GID study of strains in Si due to patterned SiO2, J. Phys. D: Applied Physics 34, A197-A202 (2001).
Original Titel:	GID study of strains in Si due to patterned SiO2
Sprache des Titels:	Englisch
Erscheinungsjahr:	2001
Notiz zum Zitat:	A. Daniel, V. Holy, Y. Zhuang, T. Roch, J. Grenzer, Z. Bochnicek, G. Bauer: GID study of strains in Si due to patterned SiO2, J. Phys. D: Applied Physics 34, A197-A202 (2001).
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Z. Bochnicek, A. Daniel, J. Grenzer, Vaclav Holy, T. Roch, Y. Zhuang
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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