Publikationsdetails

Zitat:	Z. Wilamowski, Hans Malissa, U. Rössler, Wolfgang Jantsch, "Evidence and evaluation of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells" , in Physical Review B, Vol. 66, Nummer 19, Seite(n) 195315, 2002
Original Titel:	Evidence and evaluation of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Evidence and evaluation of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells
Journal:	Physical Review B
Volume:	66
Number:	19
Seitenreferenz:	195315
Erscheinungsjahr:	2002
DOI:	10.1103/PhysRevB.66.195315
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Z. Wilamowski, Hans Malissa, U. Rössler, Wolfgang Jantsch
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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