Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, T. Hörmann, "Numerical evaluation of the dipole-scattering model for the metal-insulator transition in gated high mobility Silicon inversion layers" , in arXiv, Seite(n) 1-5, 2004
Original Titel:	Numerical evaluation of the dipole-scattering model for the metal-insulator transition in gated high mobility Silicon inversion layers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	arXiv
Seitenreferenz:	1-5
Erscheinungsjahr:	2004
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.48550/arXiv.cond-mat/0412762
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, T. Hörmann
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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