Publikationsdetails

Zitat:	Bolormaa Sanduijav, Dan G. Matei, Gang Chen, Gunther Springholz, "Shape transitions and island nucleation for Si/Ge molecular beam epitaxy on stripe-patterned Si (001) substrate" , in Physical Review B, Vol. 80, Nummer 12, Seite(n) 125329, 2009
Original Titel:	Shape transitions and island nucleation for Si/Ge molecular beam epitaxy on stripe-patterned Si (001) substrate
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physical Review B
Volume:	80
Number:	12
Seitenreferenz:	125329
Erscheinungsjahr:	2009
Anzahl der Seiten:	14
DOI:	10.1103/PhysRevB.80.125329
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in SCI-Expanded-Zeitschrift
Autoren:	Bolormaa Sanduijav, Dan G. Matei, Gang Chen, Gunther Springholz
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik Abteilung für Festkörperphysik

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