Publikationsdetails

Zitat:	T. Hörmann, Gerhard Brunthaler, "Dipole trap model for the metal-insulator transition in gated silicon-inversion layers" , in Physical Review B, Vol. 82, Nummer 20, Seite(n) 205310, 2010
Original Titel:	Dipole trap model for the metal-insulator transition in gated silicon-inversion layers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physical Review B
Volume:	82
Number:	20
Seitenreferenz:	205310
Erscheinungsjahr:	2010
Anzahl der Seiten:	13
DOI:	10.1103/PhysRevB.82.205310
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in SCI-Expanded-Zeitschrift
Autoren:	T. Hörmann, Gerhard Brunthaler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

Wissenschaftsgebiete:	Festkörperphysik (ÖSTAT:1210) Technische Physik (ÖSTAT:1221) Halbleiterphysik (ÖSTAT:1229) Quantenoptik (ÖSTAT:1246) Halbleitertechnologie (ÖSTAT:2517) Nanotechnologie (ÖSTAT:2968)

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