Publikationsdetails

Zitat:	I. Galbraith, E. Gornik, Wolfgang Johann Heiss, Manfred Helm, H. Hertle, C.J.G.M. Langerak, S.-C. Lee, B.N. Murdin, C.R. Pidgeon, Friedrich Schäffler, ""Intersubband lifetimes in Si/SiGe quantum wells"" , 1996, ISBN: 0038-1101, W. Heiss, E. Gornik, C.R. Pidgeon, S.-C. Lee, I. Galbraith, B.N. Murdin, C.J.G.M. Langerak, M. Helm, H. Hertle, F. Sch ffler: "Intersubband lifetimes in Si/SiGe quantum wells" , Solid State Electronics 40, 59-62 (1996), ISSN-Number 0038-1101
Original Titel:	"Intersubband lifetimes in Si/SiGe quantum wells"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Intersubband lifetimes in Si/SiGe quantum wells
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	W. Heiss, E. Gornik, C.R. Pidgeon, S.-C. Lee, I. Galbraith, B.N. Murdin, C.J.G.M. Langerak, M. Helm, H. Hertle, F. Sch ffler: "Intersubband lifetimes in Si/SiGe quantum wells" , Solid State Electronics 40, 59-62 (1996), ISSN-Number 0038-1101
ISBN:	0038-1101
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	I. Galbraith, E. Gornik, Wolfgang Johann Heiss, Manfred Helm, H. Hertle, C.J.G.M. Langerak, S.-C. Lee, B.N. Murdin, C.R. Pidgeon, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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