Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, R. Krump, Helmut Sitter, "Doping limits in wide gap II-VI semiconductors" , in Materials Science Forum, 1995, ISSN: 0255-5476, W. Faschinger, S. Ferreira, H. Sitter, R. Krump, G. Brunthaler: "Doping limits in wide gap II-VI semiconductors", Materials Science Forum Vols. 182-184, 29 (1995), Trans Tech Publications, Switzerland. ISSN-Number 0255-5476
Original Titel:	Doping limits in wide gap II-VI semiconductors
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Materials Science Forum
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	W. Faschinger, S. Ferreira, H. Sitter, R. Krump, G. Brunthaler: "Doping limits in wide gap II-VI semiconductors", Materials Science Forum Vols. 182-184, 29 (1995), Trans Tech Publications, Switzerland. ISSN-Number 0255-5476
ISSN:	0255-5476
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, R. Krump, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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