Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, G. Braithwaite, Gerhard Brunthaler, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, P. Philips, T.E. Whall, ""Hot carrier transport in SiGe/Si two-dimensional hole gases"" , 1996, ISBN: 0-306-45366-5, G. Brunthaler, G. Bauer, G. Braithwaite, N.L. Mattey, P. Philips, E.H.C. Parker, T.E. Whall: "Hot carrier transport in SiGe/Si two-dimensional hole gases", Proceedings of the International Conference on Hot Carriers in Semiconductors, ed.: K. Hess et al., Plenum Press, New York 1996, p. 449-452, ISBN 0-306-45366-5
Original Titel:	"Hot carrier transport in SiGe/Si two-dimensional hole gases"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Hot carrier transport in SiGe/Si two-dimensional hole gases
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Brunthaler, G. Bauer, G. Braithwaite, N.L. Mattey, P. Philips, E.H.C. Parker, T.E. Whall: "Hot carrier transport in SiGe/Si two-dimensional hole gases", Proceedings of the International Conference on Hot Carriers in Semiconductors, ed.: K. Hess et al., Plenum Press, New York 1996, p. 449-452, ISBN 0-306-45366-5
ISBN:	0-306-45366-5
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, G. Braithwaite, Gerhard Brunthaler, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, P. Philips, T.E. Whall
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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