Gerhard Brunthaler, Wolfgang Jantsch, K. Köhler, G. Ostermayer, G. Stöger, Z. Wilamowski,
""On the electron capture kinetics of DX centers in AlxGa1-xAs:Si""
, 1994, G. Stöger, G. Brunthaler, G. Ostermayer, W. Jantsch, Z. Wilamowski, K. Köhler: "On the electron capture kinetics of DX centers in AlxGa1-xAs:Si", 17th International Conference on Defects in Semiconductors, Gmunden, Austria 1993; Materials Science Forum 143-147, 1149 (1994), Trans Tech Publications, Switzerland.
Original Titel:
"On the electron capture kinetics of DX centers in AlxGa1-xAs:Si"
Sprache des Titels:
Englisch
Englischer Titel:
On the electron capture kinetics of DX centers in AlxGa1-xAs:Si
Erscheinungsjahr:
1994
Notiz zum Zitat:
G. Stöger, G. Brunthaler, G. Ostermayer, W. Jantsch, Z. Wilamowski, K. Köhler: "On the electron capture kinetics of DX centers in AlxGa1-xAs:Si", 17th International Conference on Defects in Semiconductors, Gmunden, Austria 1993; Materials Science Forum 143-147, 1149 (1994), Trans Tech Publications, Switzerland.
Anzahl der Seiten:
0
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungs-