Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, Günther Bauer, Thomas Fromherz, Manfred Helm, Ewald Koppensteiner, J. Nützel, "Hole energy levels and intersubband absorption in modulation doped Si/Si1-xGex multiple quantum wells" , in Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, 1994, ISSN: 0163-1829, T. Fromherz, E. Koppensteiner, M. Helm, G. Bauer, J.F. Nützel, G. Abstreiter: "Hole energy levels and intersubband absorption in modulation doped Si/Si1-xGex multiple quantum wells", Phys. Rev. B 50, 15 073 (1994), ISSN-Number 0163-1829
Original Titel:	Hole energy levels and intersubband absorption in modulation doped Si/Si1-xGex multiple quantum wells
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics
Erscheinungsjahr:	1994
Notiz zum Zitat:	T. Fromherz, E. Koppensteiner, M. Helm, G. Bauer, J.F. Nützel, G. Abstreiter: "Hole energy levels and intersubband absorption in modulation doped Si/Si1-xGex multiple quantum wells", Phys. Rev. B 50, 15 073 (1994), ISSN-Number 0163-1829
ISSN:	0163-1829
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, Günther Bauer, Thomas Fromherz, Manfred Helm, Ewald Koppensteiner, J. Nützel
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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