Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, Helmut Sitter, ""Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell"" , 1994, S. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler: "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell", J. Crystal Growth 140, 282 (1994)
Original Titel:	"Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell
Erscheinungsjahr:	1994
Notiz zum Zitat:	S. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler: "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell", J. Crystal Growth 140, 282 (1994)
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

fodok.jku.at

Benutzerbetreuung: Sandra Winzer, letzte Änderung:

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Telefon + 43 732 / 2468 - 9121, Fax + 43 732 / 2468 - 29121, Internet www.jku.at, Impressum