Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, Helmut Sitter,
""Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell""
, 1994, S. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler: "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell", J. Crystal Growth 140, 282 (1994)
Original Titel:
"Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell"
Sprache des Titels:
Englisch
Englischer Titel:
Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell
Erscheinungsjahr:
1994
Notiz zum Zitat:
S. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler: "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell", J. Crystal Growth 140, 282 (1994)
Anzahl der Seiten:
0
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift