Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, Helmut Sitter, "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell" , in Journal of Crystal Growth, 1994, S. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler: "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell", J. Crystal Growth 140, 282 (1994)
Original Titel:	Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Erscheinungsjahr:	1994
Notiz zum Zitat:	S. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler: "Growth of highly doped p-type ZnTe layers on GaAs using a nitrogen DC plasma cell", J. Crystal Growth 140, 282 (1994)
DOI:	10.1016/0022-0248(94)90300-x
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, S. Ferreira, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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