Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, K. Köhler, M. Seto, G. Stöger, "Influence of Coulombic broadened DX center energy levels on free electron concentration in d-doped AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells" , in Applied Physics Letters, 1994, ISSN: 0003-6951, G. Brunthaler, M. Seto, G. Stöger, K. Köhler: "Influence of Coulombic broadened DX center energy levels on free electron concentration in d-doped AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells", Appl. Phys. Lett. 65, 3084 (1994), ISSN-Number 0003-6951
Original Titel:	Influence of Coulombic broadened DX center energy levels on free electron concentration in d-doped AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1994
Notiz zum Zitat:	G. Brunthaler, M. Seto, G. Stöger, K. Köhler: "Influence of Coulombic broadened DX center energy levels on free electron concentration in d-doped AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells", Appl. Phys. Lett. 65, 3084 (1994), ISSN-Number 0003-6951
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.112989
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, K. Köhler, M. Seto, G. Stöger
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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