Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, K. Köhler, G. Ostermayer, M. Seto, G. Stöger, ""Influence of DX center structure on Si modulation d-doping in AlGaAs/GaAs quantum wells"" , 1994, G. Brunthaler, M. Seto, G. Stöger, G. Ostermayer, K. Köhler: "Influence of DX center structure on Si modulation d-doping in AlGaAs/GaAs quantum wells", 17th International Conference on Defects in Semiconductors, Gmunden, Austria 1993; Materials Science Forum, Vol. 143-147, 641 (1994), Trans Tech Publications, Switzerland.
Original Titel:	"Influence of DX center structure on Si modulation d-doping in AlGaAs/GaAs quantum wells"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Influence of DX center structure on Si modulation d-doping in AlGaAs/GaAs quantum wells
Erscheinungsjahr:	1994
Notiz zum Zitat:	G. Brunthaler, M. Seto, G. Stöger, G. Ostermayer, K. Köhler: "Influence of DX center structure on Si modulation d-doping in AlGaAs/GaAs quantum wells", 17th International Conference on Defects in Semiconductors, Gmunden, Austria 1993; Materials Science Forum, Vol. 143-147, 641 (1994), Trans Tech Publications, Switzerland.
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, K. Köhler, G. Ostermayer, M. Seto, G. Stöger
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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