Publikationsdetails

Zitat:	W. Faschinger, S. Ferreira, P. Juza, K. Lischka, A. Pesek, Helmut Sitter, H. Zajicek, ""Self-limiting monolayer epitaxy (SME): a new approach to the growth of wide gap II-VI heterostructures"" , 1993, W. Faschinger, P. Juza, S. Ferreira, H. Zajicek, A. Pesek, H. Sitter, K. Lischka: "Self-limiting monolayer epitaxy (SME): a new approach to the growth of wide gap II-VI heterostructures", J. Crystal Growth 128, 622 (1993)
Original Titel:	"Self-limiting monolayer epitaxy (SME): a new approach to the growth of wide gap II-VI heterostructures"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Self-limiting monolayer epitaxy (SME): a new approach to the growth of wide gap II-VI heterostructures
Erscheinungsjahr:	1993
Notiz zum Zitat:	W. Faschinger, P. Juza, S. Ferreira, H. Zajicek, A. Pesek, H. Sitter, K. Lischka: "Self-limiting monolayer epitaxy (SME): a new approach to the growth of wide gap II-VI heterostructures", J. Crystal Growth 128, 622 (1993)
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	W. Faschinger, S. Ferreira, P. Juza, K. Lischka, A. Pesek, Helmut Sitter, H. Zajicek
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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