Publikationsdetails

Zitat:	W. Faschinger, Helmut Sitter, ""Atomic-layer epitaxy of II-VI compound semiconductors"" , 1990, H. Sitter, W. Faschinger: "Atomic-layer epitaxy of II-VI compound semiconductors", Festkörperprobleme (Advances in Solid State Physics) 30, 219 (1990)
Original Titel:	"Atomic-layer epitaxy of II-VI compound semiconductors"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Atomic-layer epitaxy of II-VI compound semiconductors
Erscheinungsjahr:	1990
Notiz zum Zitat:	H. Sitter, W. Faschinger: "Atomic-layer epitaxy of II-VI compound semiconductors", Festkörperprobleme (Advances in Solid State Physics) 30, 219 (1990)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	W. Faschinger, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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