JKU Linz  
 
 


Publikationsdetails

Zitat: W. Faschinger, Helmut Sitter, ""Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates"" , 1990,
W. Faschinger, H. Sitter: "Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates", J. Crystal Growth 99, 566 (1990)
Original Titel: "Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates"
Sprache des Titels: Englisch
Englischer Titel: Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates
Erscheinungsjahr: 1990
Notiz zum Zitat: W. Faschinger, H. Sitter: "Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates", J. Crystal Growth 99, 566 (1990)
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren: W. Faschinger, Helmut Sitter
Forschungseinheiten: Abteilung für Halbleiterphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
fodok.jku.at Zum Seitenanfang

Benutzerbetreuung: Sandra Winzer, letzte Änderung:

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Telefon + 43 732 / 2468 - 9121, Fax + 43 732 / 2468 - 29121, Internet www.jku.at, Impressum