Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, J. Nützel, ""Strain relaxation of Ge1-xSix buffer systems grown on Ge (001)"" , 1995, ISSN: 0003-6951, J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, J.F. Nützel, G. Abstreiter: "Strain relaxation of Ge1-xSix buffer systems grown on Ge (001)", Appl. Phys. Lett. 67, 789 (1995), ISSN-Number 0003-6951
Original Titel:	"Strain relaxation of Ge1-xSix buffer systems grown on Ge (001)"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Strain relaxation of Ge1-xSix buffer systems grown on Ge (001)
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, J.F. Nützel, G. Abstreiter: "Strain relaxation of Ge1-xSix buffer systems grown on Ge (001)", Appl. Phys. Lett. 67, 789 (1995), ISSN-Number 0003-6951
ISSN:	0003-6951
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, J. Nützel
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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