Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, J. Nützel, ""Investigation of strain relaxation of Ge1-xSix epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping"" , 1995, ISSN: 0268-1242, J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, J.F. Nützel, G. Abstreiter: "Investigation of strain relaxation of Ge1-xSix epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping", Semicond. Sci. Technol. 10, 1621 (1995), ISSN-Number 0268-1242
Original Titel:	"Investigation of strain relaxation of Ge1-xSix epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Investigation of strain relaxation of Ge1-xSix epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, J.F. Nützel, G. Abstreiter: "Investigation of strain relaxation of Ge1-xSix epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping", Semicond. Sci. Technol. 10, 1621 (1995), ISSN-Number 0268-1242
ISSN:	0268-1242
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, J. Nützel
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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