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Publikationsdetails

Zitat: Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, H. Straub, C. Vieu, ""Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching"" , 1996, ISBN: 0022-0248,
H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer, C. Vieu: "Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching", J. Crystal Growth 159, 451-454 (1996), ISSN-Number 0022-0248
Original Titel: "Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching"
Sprache des Titels: Englisch
Englischer Titel: Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching
Erscheinungsjahr: 1996
Notiz zum Zitat: H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer, C. Vieu: "Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching", J. Crystal Growth 159, 451-454 (1996), ISSN-Number 0022-0248
ISBN: 0022-0248
Anzahl der Seiten: 0
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren: Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, H. Straub, C. Vieu
Forschungseinheiten: Abteilung für Halbleiterphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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