Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, ""Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping"" , 1996, ISBN: 1-55899-352-5, G. Bauer, A. Darhuber, V. Holy: "Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 406, 457-468 (1996), ISBN 1-55899-352-5
Original Titel:	"Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Bauer, A. Darhuber, V. Holy: "Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 406, 457-468 (1996), ISBN 1-55899-352-5
ISBN:	1-55899-352-5
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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