Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, G. Braithwaite, Gerhard Brunthaler, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, T. E. Wall, "Hot hole energy relaxation in Si/Si0.8Ge0.2 2D hole gases" , in Applied Physics Letters, 1997, ISSN: 0003-6951, G. Braithwaite, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, T. E. Wall, G. Brunthaler, G. Bauer: "Hot hole energy relaxation in Si/Si0.8Ge0.2 2D hole gases", Appl. Phys. Lett. 81, 6853-6856 (1997), ISSN-Number 0003-6951
Original Titel:	Hot hole energy relaxation in Si/Si0.8Ge0.2 2D hole gases
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	G. Braithwaite, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, T. E. Wall, G. Brunthaler, G. Bauer: "Hot hole energy relaxation in Si/Si0.8Ge0.2 2D hole gases", Appl. Phys. Lett. 81, 6853-6856 (1997), ISSN-Number 0003-6951
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.365244
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, G. Braithwaite, Gerhard Brunthaler, N. L. Mattey, E. H. C. Parker, T. E. Wall
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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