Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, Friedrich Schäffler, D. Többen, D.A. Wharam, ""Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena"" , 1996, ISSN: 0038-1101, D. Többen, D.A. Wharam, G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, F. Schäffler: "Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena", Solid State Electronics 40, 405-408 (1996), ISSN-Number 0038-1101
Original Titel:	"Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	D. Többen, D.A. Wharam, G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, F. Schäffler: "Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena", Solid State Electronics 40, 405-408 (1996), ISSN-Number 0038-1101
ISSN:	0038-1101
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, Friedrich Schäffler, D. Többen, D.A. Wharam
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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