Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler, ""Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures"" , 1997, ISSN: 0021-8979, J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, F. Sch ffler: "Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures", J. Appl. Phys.82 , 2881-2886 (1997), ISSN-Number 0021-8979
Original Titel:	"Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, F. Sch ffler: "Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures", J. Appl. Phys.82 , 2881-2886 (1997), ISSN-Number 0021-8979
ISSN:	0021-8979
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

fodok.jku.at

Benutzerbetreuung: Sandra Winzer, letzte Änderung:

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Telefon + 43 732 / 2468 - 9121, Fax + 43 732 / 2468 - 29121, Internet www.jku.at, Impressum