Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, Le Si Dang, A. A. Darhuber, W. Faschinger, C. Gourgon, Th. Grill, H. Mariette, Y.M. Niquet, C. Priester, H. Straub, C. Vieu, ""Influence of inhomogeneous strain relaxation on the photoluminescence of II-VI nanostructures"" , 1998, Y.M.Niquet, C.Gourgon, Le Si Dang, H. Mariette, C. Priester, C. Vieu, H. Straub, G. Brunthaler, A. Darhuber, Th. Grill, W. Faschinger, G. Bauer: "Influence of inhomogeneous strain relaxation on the photoluminescence of II-VI nanostructures", Journal of Crystal Growth 184/185, 334-338 (1998), ISSN-No. 0022-0248
Original Titel:	"Influence of inhomogeneous strain relaxation on the photoluminescence of II-VI nanostructures"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Influence of inhomogeneous strain relaxation on the photoluminescence of II-VI nanostructures
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	Y.M.Niquet, C.Gourgon, Le Si Dang, H. Mariette, C. Priester, C. Vieu, H. Straub, G. Brunthaler, A. Darhuber, Th. Grill, W. Faschinger, G. Bauer: "Influence of inhomogeneous strain relaxation on the photoluminescence of II-VI nanostructures", Journal of Crystal Growth 184/185, 334-338 (1998), ISSN-No. 0022-0248
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, Le Si Dang, A. A. Darhuber, W. Faschinger, C. Gourgon, Th. Grill, H. Mariette, Y.M. Niquet, C. Priester, H. Straub, C. Vieu
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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