G. Abstreiter, Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, J. Nützel, Julian Stangl,
""X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers""
, 1998, V. Holy, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel, G. Abstreiter: "X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers", Semicond. Sci. Technol., 13 1-9 (1998), ISSN No. 0268-1242
Original Titel:
"X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers"
Sprache des Titels:
Englisch
Englischer Titel:
X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers
Erscheinungsjahr:
1998
Notiz zum Zitat:
V. Holy, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel, G. Abstreiter: "X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers", Semicond. Sci. Technol., 13 1-9 (1998), ISSN No. 0268-1242
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift