Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, N. Darowski, Vaclav Holy, D. Lübbert, U. Pietsch, Julian Stangl, Stefan Zerlauth, ""Strain and strain relaxation in Si1-xGex dot multilayers embedded in Si"" , 1999, A.A. Darhuber, J. Stangl, V. Holy, S. Zerlauth, G. Bauer, N. Darowski, D. Lübbert, U. Pietsch: "Strain and strain relaxation in Si1-xGex dot multilayers embedded in Si", Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, ed. D. Gershoni, World Scientific, Singapore 1999, # 1199 (CD-ISBN: 981-02-4030-9)
Original Titel:	"Strain and strain relaxation in Si1-xGex dot multilayers embedded in Si"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Strain and strain relaxation in Si1-xGex dot multilayers embedded in Si
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	A.A. Darhuber, J. Stangl, V. Holy, S. Zerlauth, G. Bauer, N. Darowski, D. Lübbert, U. Pietsch: "Strain and strain relaxation in Si1-xGex dot multilayers embedded in Si", Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, ed. D. Gershoni, World Scientific, Singapore 1999, # 1199 (CD-ISBN: 981-02-4030-9)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, N. Darowski, Vaclav Holy, D. Lübbert, U. Pietsch, Julian Stangl, Stefan Zerlauth
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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