Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, J. Grim, Vaclav Holy, J. Kubena, Friedrich Schäffler, Julian Stangl, Stefan Zerlauth, "Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated Si/SiGe/SiC multilayers" , in Journal of Physics D: Applied Physics, 1999, J. Grim, V. Holy, J. Kubena, J. Stangl, A.A. Darhuber, S. Zerlauth, F. Sch ffler, G. Bauer: "Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated Si/SiGe/SiC multilayers", J. Phys.D: Appl.Phys. 32, A216-A219 (1999)
Original Titel:	Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated Si/SiGe/SiC multilayers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Physics D: Applied Physics
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	J. Grim, V. Holy, J. Kubena, J. Stangl, A.A. Darhuber, S. Zerlauth, F. Sch ffler, G. Bauer: "Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated Si/SiGe/SiC multilayers", J. Phys.D: Appl.Phys. 32, A216-A219 (1999)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, J. Grim, Vaclav Holy, J. Kubena, Friedrich Schäffler, Julian Stangl, Stefan Zerlauth
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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