Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, H. von Känel, E. Müller, C. Rosenblad, Julian Stangl, "Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates" , in Materials Science and Engineering B, 2000, C. Rosenblad, J. Stangl, E. Müller, G. Bauer, H. von Känel: Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates, Materials Science and Engineering B71, 20-23 (2000).
Original Titel:	Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Materials Science and Engineering B
Erscheinungsjahr:	2000
Notiz zum Zitat:	C. Rosenblad, J. Stangl, E. Müller, G. Bauer, H. von Känel: Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates, Materials Science and Engineering B71, 20-23 (2000).
DOI:	10.1016/S0921-5107(99)00343-8
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, H. von Känel, E. Müller, C. Rosenblad, Julian Stangl
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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