Publikationsdetails

Zitat:	D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, M. Behar, J. Kaschny, P. Grande, V. Hnatowicz, J. Vacik, Leopold Palmetshofer, "Ion Implantation into Fullerene" , in Fullerene Science and Technology, Vol. 4, Nummer 3, Seite(n) 535-552, 1996, D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, M. Behar, J. Kaschny, P. Grande,, V. Hnatowicz,, J. Vacik, L. Palmetshofer:Ion Implantation into Fullerene; Fullerene Science and Technology 4, 535 (1996)
Original Titel:	Ion Implantation into Fullerene
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Fullerene Science and Technology
Volume:	4
Number:	3
Seitenreferenz:	535-552
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, M. Behar, J. Kaschny, P. Grande,, V. Hnatowicz,, J. Vacik, L. Palmetshofer:Ion Implantation into Fullerene; Fullerene Science and Technology 4, 535 (1996)
Anzahl der Seiten:	18
DOI:	10.1080/10641229608001569
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, M. Behar, J. Kaschny, P. Grande, V. Hnatowicz, J. Vacik, Leopold Palmetshofer
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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