Publikationsdetails

Zitat:	Sven Lanzerstorfer, Johannes David Pedarnig, R. A. Gunasekaran, Dieter Bäuerle, Wolfgang Jantsch, "1,54 micron emission of pulsed-laser deposited Er-doped films on Si" , in Journal of Luminescence, Vol. 80, Seite(n) 353-356, 1999, 1,54 micron emission of pulsed-laser deposited Er-doped films on Si, S. Lanzersdorfer, J.D. Pedarnig, R.A. Gunasekaran, D. Bäuerle, W. Jantsch, Conference on Semiconductor and Insulating Materials SIMC-X, Berkeley June 1998, Journal of Luminescence 80, 353-356 (1999)
Original Titel:	1,54 micron emission of pulsed-laser deposited Er-doped films on Si
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	1,54 micron emission of pulsed-laser deposited Er-doped films on Si
Journal:	Journal of Luminescence
Volume:	80
Seitenreferenz:	353-356
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	1,54 micron emission of pulsed-laser deposited Er-doped films on Si, S. Lanzersdorfer, J.D. Pedarnig, R.A. Gunasekaran, D. Bäuerle, W. Jantsch, Conference on Semiconductor and Insulating Materials SIMC-X, Berkeley June 1998, Journal of Luminescence 80, 353-356 (1999)
Anzahl der Seiten:	4
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in SCI-Expanded-Zeitschrift
Autoren:	Sven Lanzerstorfer, Johannes David Pedarnig, R. A. Gunasekaran, Dieter Bäuerle, Wolfgang Jantsch
Forschungseinheiten:	Institut für Angewandte Physik

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