Publikationsdetails

Zitat:	Michael Mühlberger, Friedrich Schäffler, ""Carbon Co-Doping of Si1-xGex:B Layers: Suppression of Transient Enhanced Diffusion"" , 1999, "M. Mühlberger, F. Schäffler: "Carbon Co-Doping of Si1-xGex:B Layers: Suppression of Transient Enhanced Diffusion", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 167."
Original Titel:	"Carbon Co-Doping of Si1-xGex:B Layers: Suppression of Transient Enhanced Diffusion"
Sprache des Titels:	Englisch
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	"M. Mühlberger, F. Schäffler: "Carbon Co-Doping of Si1-xGex:B Layers: Suppression of Transient Enhanced Diffusion", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 167."
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Michael Mühlberger, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

fodok.jku.at

Benutzerbetreuung: Sandra Winzer, letzte Änderung:

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Telefon + 43 732 / 2468 - 9121, Fax + 43 732 / 2468 - 29121, Internet www.jku.at, Impressum