Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Julian Stangl, Y. Zhuang, ""Fast Growth Method for the Fabrication of Modulation Doped Si/SiGe Field Effect Transistors"" , in Current Developments of Microelectronics, 1999, J. Stangl, Y. Zhuang, G. Bauer: "Fast Growth Method for the Fabrication of Modulation Doped Si/SiGe Field Effect Transistors", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 207.
Original Titel:	"Fast Growth Method for the Fabrication of Modulation Doped Si/SiGe Field Effect Transistors"
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Current Developments of Microelectronics
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	J. Stangl, Y. Zhuang, G. Bauer: "Fast Growth Method for the Fabrication of Modulation Doped Si/SiGe Field Effect Transistors", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 207.
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Julian Stangl, Y. Zhuang
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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