Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, K. Eberl, F. Ernst, I. Kegel, O. Kienzle, Till Hartmut Metzger, T. Roch, Oliver G. Schmidt, Julian Stangl, "Vertical correlation of SiGe islands in SiGe/Si superlattices: x-ray diffraction versus transmission electron microscopy" , in Applied Physics Letters , 2000, J. Stangl, T. Roch, G. Bauer, I. Kegel, T.H. Metzger, O.G. Schmidt, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst: Vertical correlation of SiGe islands in SiGe/Si superlattices: x-ray diffraction versus transmission electron microscopy, Appl. Phys. Lett. 77, 3953-3955 (2000).
Original Titel:	Vertical correlation of SiGe islands in SiGe/Si superlattices: x-ray diffraction versus transmission electron microscopy
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	2000
Notiz zum Zitat:	J. Stangl, T. Roch, G. Bauer, I. Kegel, T.H. Metzger, O.G. Schmidt, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst: Vertical correlation of SiGe islands in SiGe/Si superlattices: x-ray diffraction versus transmission electron microscopy, Appl. Phys. Lett. 77, 3953-3955 (2000).
DOI:	10.1063/1.1333683
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, K. Eberl, F. Ernst, I. Kegel, O. Kienzle, Till Hartmut Metzger, T. Roch, Oliver G. Schmidt, Julian Stangl
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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