Publikationsdetails

Zitat:	J. Luyo, M. Melendez-Lira, M. Garcia-Rocha, O. de Melo, R. Leon, P. Diaz, L. Hernandez, J. Fuentes, Helmut Sitter, I. Hernandez-Calderon, "Optical and Structural Characterization of MBE-grown ZnSe/GaAs Interfaces" , in M. Scheffler and R. Zimmermann: The Physics of Semiconductors, Seite(n) 1067-1070, 1967, J. Luyo, M. Melendez-Lira, M. Garcia-Rocha, O. de Melo, R. Leon, P. Diaz, L. Hernandez, J. Fuentes, H. Sitter, I. Hernandez-Calderon:Optical and Structural Characterization of MBE-grown ZnSe/GaAs Interfaces; The Physics of Semiconductors, ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific Singapore 1996) pp 1067-1070
Original Titel:	Optical and Structural Characterization of MBE-grown ZnSe/GaAs Interfaces
Sprache des Titels:	Englisch
Original Buchtitel:	The Physics of Semiconductors
Seitenreferenz:	1067-1070
Erscheinungsjahr:	1967
Notiz zum Zitat:	J. Luyo, M. Melendez-Lira, M. Garcia-Rocha, O. de Melo, R. Leon, P. Diaz, L. Hernandez, J. Fuentes, H. Sitter, I. Hernandez-Calderon:Optical and Structural Characterization of MBE-grown ZnSe/GaAs Interfaces; The Physics of Semiconductors, ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific Singapore 1996) pp 1067-1070
Anzahl der Seiten:	4
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in Sammelwerk (nicht-referiert)
Autoren:	J. Luyo, M. Melendez-Lira, M. Garcia-Rocha, O. de Melo, R. Leon, P. Diaz, L. Hernandez, J. Fuentes, Helmut Sitter, I. Hernandez-Calderon
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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