Publikationsdetails

Zitat:	I. Hernandez-Calderon, E. Lopez-Luna, J. Luyo, M. Melendez-Lira, O. de Melo, P. Diaz, L. Hernandez, J. Fuentes, R. Leon, Helmut Sitter, "Investigation of the Structural Properties of MBE-grown ZnSe/GaAs Heterostructures" , in Journal of Crystal Growth, Vol. 175-176, Nummer 1, Seite(n) 571-576, 5-1997, I. Hernandez-Calderon, E. Lopez-Luna, J. Luyo, M. Melendez-Lira, O. de Melo-Percira, P. Diaz-Arencibia, L. Hernandez, J. Fuentes, R. Leon, H. Sitter.Investigation of the Structural Properties of MBE-grown ZnSe/GaAs Heterostructures; J. Cryst. Growth 175/176, 571 (1997)
Original Titel:	Investigation of the Structural Properties of MBE-grown ZnSe/GaAs Heterostructures
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Volume:	175-176
Number:	1
Seitenreferenz:	571-576
Erscheinungsmonat:	5
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	I. Hernandez-Calderon, E. Lopez-Luna, J. Luyo, M. Melendez-Lira, O. de Melo-Percira, P. Diaz-Arencibia, L. Hernandez, J. Fuentes, R. Leon, H. Sitter.Investigation of the Structural Properties of MBE-grown ZnSe/GaAs Heterostructures; J. Cryst. Growth 175/176, 571 (1997)
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.1016/S0022-0248(96)01215-8
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	I. Hernandez-Calderon, E. Lopez-Luna, J. Luyo, M. Melendez-Lira, O. de Melo, P. Diaz, L. Hernandez, J. Fuentes, R. Leon, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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